由于二维Ⅳ-Ⅵ族半导体材料通常具有较大的直接能隙，使得它们在可见光和红外光区域具有良好的吸收特性。较高的载流子迁移率使得探测器的响应速度和效率得到提高。此外它们较好的机械柔韧性、低功耗和稳定性等有利特性使其在光电探测器领域具有广泛的研究和应用意义。这些材料的性能可以进一步推动光电探测技术的发展，包括激光雷达、太阳能电池和光通信等领域。本培育项目将在前期专利授权和申请的基础上，探索以化学气相沉积技术为主的二维Ⅳ-Ⅵ族半导体材料制备方法，开发出以半导体的单质粉末作为前驱体材料，低成本低温下的二维Ⅳ-Ⅵ族半导体材料制备方法，制备出相应的光电探测器产品。探索出制备周期小，成本节约型的二维Ⅳ-Ⅵ族半导体材料及其光电探测器，寻求产品的市场转化。